后摩爾時(shí)代異質(zhì)集成系統(tǒng)中的TCAD
更高分辨率、更先進(jìn),更高集成密度
連接器件和設(shè)計(jì)的橋梁
SoC中的可復(fù)用組件
分享了題為《三維全尺寸鍺硅光電二極管與光信號(hào)的耦合仿真 A 3D Electrical-optical Fully Coupled TCAD Simulation for SiGe Photo Detector 》
助力半導(dǎo)體工藝仿真走向更高精度、更高效率的未來
總劑量效應(yīng)是器件輻射效應(yīng)的一個(gè)重要方面